一、電勢(shì)差與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系和內(nèi)容

1、內(nèi)容：零場(chǎng)強(qiáng)區(qū)域兩點(diǎn)間電勢(shì)差一定為零，電勢(shì)差為零的區(qū)域場(chǎng)強(qiáng)不一定為零。

2、勻強(qiáng)電場(chǎng)中電勢(shì)差與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系：在勻強(qiáng)電場(chǎng)中，兩點(diǎn)間的電勢(shì)差等于電場(chǎng)強(qiáng)度與這兩點(diǎn)沿電場(chǎng)方向的距離的乘積。

3、公式$U_{AB}=Ed$的適用條件：

（1）勻強(qiáng)電場(chǎng)。

（2）$d$為兩點(diǎn)沿電場(chǎng)方向的距離。

4、公式$E=\frac{U_{AB}}bhlvnjh$的意義：在勻強(qiáng)電場(chǎng)中，電場(chǎng)強(qiáng)度的大小等于兩點(diǎn)間的電勢(shì)差與這兩點(diǎn)沿電場(chǎng)強(qiáng)度方向距離的比值。

5、電場(chǎng)強(qiáng)度的另一種表述：電場(chǎng)強(qiáng)度在數(shù)值上等于沿電場(chǎng)方向每單位距離上降低的電勢(shì)。

6、電場(chǎng)強(qiáng)度的另一個(gè)單位：由$E=\frac{U_{AB}}hdpdzlh$可導(dǎo)出電場(chǎng)強(qiáng)度的另一個(gè)單位，即伏［特］每米，符號(hào)為V/m，1V/m=1N/C。

二、電勢(shì)差與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系的相關(guān)例題

（多選）細(xì)胞膜的厚度等于700nm（1nm=10$^{-9}$m），當(dāng)膜的內(nèi)外層之間的電壓達(dá)到0.4V時(shí)，即可讓一價(jià)鈉離子滲透。設(shè)細(xì)胞膜內(nèi)的電場(chǎng)為勻強(qiáng)電場(chǎng)，則當(dāng)一價(jià)鈉離子恰好滲透時(shí)____

A．膜內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度為5.71×10$^5$V/m

B．膜內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度為1.04×10$^6$V/m

C．每個(gè)鈉離子沿電場(chǎng)方向透過膜時(shí)電場(chǎng)力做的功等于6.4×10$^{-20}$J

D．每個(gè)鈉離子沿電場(chǎng)方向透過膜時(shí)電場(chǎng)力做的功等于1.28×10$^{-19}$J

答案：AC

解析：$E=\frac{U}dxdrvpb=\frac{0.4}{7×10^{-7}}$V/m$≈5.71×10^5$V/m，A正確，B錯(cuò)誤；$W=qU=1.6×10^{-19}×0.4$J=$6.4×10^{-20}$J，C正確，D錯(cuò)誤。